原子層沉積技術可改善Micro LED的性能

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2019-04-29 作者： 來源：OFweek半導體照明網 網友評論： 0 條

摘要： 據外媒報道，工業原子層沉積（ALD）薄膜涂層技術＊＊供應商Picosun集團日前表示，通過使用一種稱為ALD鈍化的技術提高了其Micr LED的性能。

　　據外媒報道，工業原子層沉積(ALD)薄膜涂層技術＊＊供應商Picosun集團日前表示，通過使用一種稱為ALD鈍化的技術提高了其Micr LED的性能。

　　Picosun認為，對于包括液晶顯示器、OLED以及傳統LED等現有顯示技術來講，Micro LED是一大挑戰。因為Micro LED提供了包括體積小、低功耗、**的亮度及能效、更高的對比度及色彩飽和度、超高分辨率、靈活性以及良好的可靠性等性能。

　　目前全球許多＊＊的電子制造商和研發機構都在抓緊研發Micro LED。這類Micro LED設備通常用于包括平板電腦、智能手機和智能手表等設備的小尺寸屏幕中。

　　但是，Micro LED技術的一些缺點，也阻礙了該技術的全面商業突破。Micro LED屏幕由可產生綠色、藍色和紅色光的微小的像素組成，而制造這些像素的一些步驟容易導致其精細納米級結構的損壞，進而會導致光強度的損失。

　　Picosun表示，現已證實ALD“可以有效地修復這些結構損壞，不僅可以恢復照明強度，還可以將其提高到更高水平。”

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